HDPCVD高密度等离子体化学气相沉积系列机台

1.生长材料：SiO2、SiNx、α-Si等

2.低温生长工艺

3.尺寸定制，整片以及碎片膜层生长

4.Load-Lock 双腔（选配）

5.加热温度：室温-400℃（温度可定制）

6.衬底偏压（选配）

7.气路数量可根据用户需求定制

8.具备腔室清洗工艺

9.基于 Windows 操作软件，具备系统监测、工艺编辑、参数显示等功能，具备储存工艺日志和操作记录的能力