PECVD 等离子体化学气相沉积系列机台

1.生长材料：SiO2、SiNx、α-Si等

2.尺寸定制，整片以及碎片膜层生长

3.Load-Lock 双腔（选配）

4.加热温度：室温-400℃（温度可定制）

5.衬底偏压（选配）

6.气路数量可根据用户需求定制

7.具备腔室清洗工艺