IBE 离子束刻蚀系列机台

1.刻蚀范围：金属（Au、Pt、Ag、Co、Ni、Ta 等）; 硅基（Si、SiNx、SiO2 等）;半导体化合物等

2.尺寸定制，整片以及碎片刻蚀

3.选配反应刻蚀气路，如：氧气、氮气等

4.水冷控温

5.下电极可倾斜 0-90°，同时支持自旋功能

6.软硬件互锁机制

7.基于 Windows 操作软件，具备系统监测、工艺编辑、参数显示等功能，具备储存工艺日志和操作记录的能力