RIE 反应离子刻蚀系列机台

1.刻蚀范围：硅基（Si、SiNx、SiO2、Ge、GeSi 等）;有机物、Ⅲ-Ⅴ、蓝宝石、SiC、金属（Au、Ag、W）等、表面改性、干法去胶等

2.尺寸定制（可非标），碎片刻蚀

3.气路数量可根据用户需求配置

4.水冷控温，选配背氦控温

5.软硬件互锁机制

6.基于 Windows 操作软件，具备系统监测、工艺编辑、参数显示等功能，具备储存工艺日志和操作记录的能力